MV MOSFET
SIC MOSFET SIC DIODE HV SJ MOS MV MOSFET

MV MOSFET

MV MOSFET G1是Faster菲速半导体公司的中压MOSFET系列产品。
该技术针对高电流承载能力以及诸如抗雪崩和动态电压变化率（dv/dt）等方面的高耐用性进行了优化。其击穿电压范围在150伏至300伏之间，对于各类需要高性能和高耐用性的应用而言，MV MOS是理想之选。

主要特点

减少开关和传导损耗 增强体二极管dv/dt和di/dt能力 强大的雪崩能力 100%雪崩测试 无铅、无卤素、符合RoHS标准
产品
数据表
产品状态
资格认证
包装类型
技术
Vds最大值
RDS(on) 类型
VGS(th) 最大值
ID @25℃ 最大值
QG(总计)
安装
FSO20N9P7G1 Active Industrial Die eMOS G1 200 V 9.7 mΩ 5.0 V 130 A 223 nC Surface Mount
FSW20N9P7G1 Active Industrial TO247-3L eMOS G1 200 V 9.7 mΩ 5.0 V 130 A 223 nC Through Hole

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