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Faster菲速半导体与HANA集团再度强强联手,共同推进碳化硅功率模块的研发与创新!
在半导体材料科学与电力电子技术交汇的最前沿 ,Faster菲速半导体与HANA集团再度强强联手,深化技术合作,共同推进碳化硅(SiC)功率模块的研发与创新 。此次合作成果斐然 ,Faster菲速半导体最新推出的P2B SiC功率模块,专为新能源汽车充 电桩、光伏能源系统、储能装置 、电机驱动系统及不间断电源(UPS)等关 键领域精心打造 ,不仅彰显了菲速半导体在SiC应用上的深厚底蕴与卓越创新能力,更以高能效 、高可靠性及紧凑设计满足了市场的迫切需求 。同时,双方已规划年内推出4款全新SiC功率模块,进一步丰富产品线,以更全面的解决方案应对广泛市场需求 ,共同引领电力电子行业迈向新高度 。
打造 高 效 垂 直 供应链,引 领SiC技术革新
Faster模块系列依托其完整的垂直供应链体系 ,从材料、晶圆制造 ,到设计生产、封装以及严格的质量检测 ,实现了全程自主可控 。 该系列采用的晶圆来自合作投资方Power Master Semiconductor,该公司提供的先进eSiC MOSFET技术,为Faster模块带来了显著的系统效率提升与功率密度增强 ,赋予了设计上的极大灵活性。尤为重要的是,SiC MOSFET以其极低的开关损耗和无需体二极管反向恢复的特性,确保了模块的高可靠性表现。这一系列优势使得Faster 模块在成本控制与产品质量方面均展现出强大的市场竞争力,树立了行业标杆。 多 样化 封装 技术 满足多 元化 应用需求
Faster 菲速半导体的SiC功率模块涵盖了 34mm、P2B、Econo2及HP1等多种先进封装类型,旨在全方位满足不同应用场景的多样化需求
采用先进的封装技术和碳化硅半导体材 料,在34mm的尺寸范围内实现了较高的功率输出 ,能够满足大功率应用的需求,同时减小了模块的体积和重量。 搭载全新一代SiC MOSFET芯片,具有极低的开关损耗和导通损耗,可以最大限度地减少冷却器件尺寸,降低系统的能量损耗,提高能源利用效率 。有利于减小系统的体积和重量,同时提高系统的响应速度 ; 并且多个模块可以方便地并联使用,以满足更大功率的应用需求 。
P2B模块封装设计上的灵活PIN布局, 使得驱动回路与功率回路均达到最优化 ,这对于SiC这类高速开关器件而言尤为重要 。此外 ,采用先进的平面栅结构及直接敷铜(DCB)技术及高效的散热鳍片设计,使得模块在高温、高负载工况下仍能保持稳定性能,特别适用于工业电机驱动及电动汽车充电设施等领域。
HP1专为高功率密度应用而设计,采用陶瓷封装及多层布线技术,实现了高功率密度的集成。同时,液冷散热技术及微通道散热结构的应用,使得模块在高功率运行时仍能保持稳定温度,特别适用于轨道交通及高压直流输电等领域。
Faster凭借其在SiC功率模块领域的深厚积累与创新实力,成功推出了一系列高性能 SiC功率模块,为新能源发电、工业应用以 及交通领域等提供了全新的解决方案 。这些模块不仅满足了市场对高效率 、高可靠性以及紧凑设计的迫切需求 ,也推动了电力电子技术的持续进步与发展 。未来,菲速半导体将继续深耕SiC功率模块领域,致力于推动技术创新与产业升级,为市 场带来更多高性能 、高 性价比的产品。
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