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菲速半导体推出适用于汽车与工业应用的创新型顶部散热封装方案

菲速半导体宣布扩展其碳化硅MOSFET产品线，推出通过AEC-Q101认证的高性能顶部散热封装新品。该系列包含专为汽车与工业应用设计的TSPAK DBC版与LF版封装方案。

TSPAK封装凭借卓越的散热性能、高效能、功率密度及可靠性，成为车载充电器(OBC)、DC-DC转换器和电子压缩机等汽车应用的理想选择。该创新封装采用菲速半导体最新一代1200V碳化硅MOSFET(Gen2)，通过尖端技术成功破解了比导通电阻(Rsp)与短路耐受时间(SCWT)的平衡难题。相较前代产品，新型1200V碳化硅MOSFET的导通电阻降低20%，短路耐受时间提升15%，开关损耗更减少45%。

TSPAK核心优势

TSPAK LF版
· 顶部散热封装设计，表面裸露漏极可直接连接散热器
· 提供卓越散热性能，支持大电流运行
· 高温工作能力：最高结温Tj=175℃

TSPAK DBC版
· 表面集成绝缘DBC陶瓷垫，提供顶级散热性能与设计灵活性
· 具备3.6kV隔离电压，增大爬电距离(5.23mm)，支持导热膏直连外部散热器
· 高温工作能力：最高结温Tj=175℃

采用14mm×18.58mm行业标准尺寸的TSPAK封装，不仅提供优异的散热性能，其开尔文源极配置更能将栅极噪声降低60%，实现更高频率运行与功率密度提升。

FCR120N40M2A(LF版)与FCRZ120N40M2A(DBC版)是采用TSPAK封装的汽车级1200V/40mΩ碳化硅MOSFET，基于力源半导体第二代碳化硅MOSFET技术，为汽车系统提供优化性能：
· 电子压缩机应用：提升热管理效率，延长电池寿命，增强充电效能与续航里程
· 图腾柱PFC及CLLC/DAB(双有源桥)拓扑：适用于电动汽车800V电池系统的双向功率转换

"高功率设计中的散热挑战是制约系统小型化的关键因素，"销售与市场高级总监金南振表示，"我们的新型顶部散热封装不仅能提升系统效率，还可简化PCB热传导路径，使系统设计更趋紧凑。我们确信该创新方案将成为高性能汽车应用的最佳选择。"

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关于菲速半导体

Faster菲速半导体是上海菲格英特与韩国Power Master Semiconductor成立的中国合资公司，汇聚了来自三星、仙童、安森美等企业、拥有20余年功率半导体设计、生产、应用技术及营销经验的专家团队。专注于碳化硅二极管/MOSFET及超结MOSFET的设计开发与量产。公司总部设于忠清北道清州市，在仁川桂阳设有研发中心，持续开发媲美国际主流碳化硅厂商的量产产品。

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